Создана память, хранящая информацию более 100 000 лет

Ученые Университета Пенсильвании заявили, что им удалось разработать технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая работает в 1,000 раз быстрее, чем современная флэш-память, и способна надежно хранить данные в течение, как минимум, 100 тысяч лет.  

Новый вид памяти основан на фазовом состоянии вещества и является разновидностью так называемой "фазовой памяти".  

По словам разработчиков, в основе созданной ими технологии лежат самостоятельно формирующиеся нанопроволоки из теллурида сурьмы и германия - соединений, способных менять свое фазовое состояние под воздействием электрического тока.  

Такие вещества могут иметь кристаллическую структуру, либо находиться в неупорядоченном аморфном состоянии, имея при этом разное электрическое сопротивление.  

Толщина нанопроволок памяти, по данным ученых, составляет 30-50 атомов в диаметре, длина - 10 мкм.  

В результате первых экспериментов с образцом памяти удалось установить, что она способна записывать, читать и удалять биты данных со скоростью в 1,000 раз выше средней скорости работы современных устройств на базе флэш-памяти.  

При этом, как отмечают ученые, их память потребляет очень маленькое количество электрической энергии, всего 0,7 мВт на операцию с одним битом. Данные на таком носителе могут надежно храниться в течение 100 тысяч лет.